# 超频
# AMD zen3超频
超频前先不要超,先把电压拉高,看看散热器的散热效能可以支撑的最高电压,确定最高电压再超。
5600,bios版本要agesa1206c起。不然PBO会异常。
通篇都是我根据现象做出的推测与猜想,同实际实现可能存在巨大偏差,请辩证看待。
zen1,2时代,PBO鲁莽加压,效率很低,不能完全发挥体质好的优势,多核重负载采用1.2V定频的效能高得多。使用主板的offset-功能,往往很容易出现低负载电压过低宕机,或者没有方便的工具进行批量自动测试。而hydra软件的前身CTR,更多的是在给定电压下,如1.2V或1.375V不断尝试更高频率烧机,直到出错。而AMD最新推出的curve optimizer功能则改进了PBO短板,更能发挥出好体质U的优势。在大部分场景下,1.2V定频效能感觉已不如pbo2加曲线优化。
co值不改变电压,只改电压频率对应表。假设1.2v对应4g,1.3v对应4.2g,改变co值达到的效果是1.2v对应4.2g。能发挥体质更好的U潜力。
# AMD Ryzen Master曲线优化器 Curve Optimizer
不追求极致的用户推荐PBO加Ryzen Master软件自动曲线优化,有相当不错的效能。高追求懒折腾的用户可以换带X处理器配合PBO曲线优化,通常带X处理器PBO加曲线优化就几乎榨干潜力。
BIOS先设置cpu boost clock override ,enable(positive)。其余全部默认就可以。这个选项可以通过Ryzen Master软件进行修改,并不是非要在BIOS修改。
- 非X处理器直接拉200。非X处理器默频比较保守,超频空间较大。
- X处理器风冷,240冷排推荐100。如果确实散热余量很足,酌情拉到125~150。
- X处理器360冷排及以上,主板供电够猛,可以拉200。
在windows下运行amd官方工具ryzen master,曲线优化-每核心。测试完,按应用,会直接写入cpu,以后不用开软件也生效。别的BIOS设置不用改,软件自动设置。ryzen master软件会自动写入pbo scalar manual 1X。对应PPT,TDC,EDC不清楚同主板厂定义是否有关,就我的体感来看,是不会成为瓶颈的。
使用AMD PBO2功能,不推荐开防掉压。
# hydra
hydra软件1.1G版本,附作者提供的指南,分别是hybrid指南和pbo指南。请使用比特彗星或qbittorrent,吸血迅雷会被BAN。需要网盘请自行用磁链在网盘添加离线任务。 原作者 (opens new window)1usmus (opens new window)动态 (opens new window),请自行查阅更新。 打赏原作者1usmus (Yuri Bubliy)团队 (opens new window)
hydra软件自动烧机测试出特定负载下稳定的极限频率与电压,要测很久,通常一个核心要测1个小时。HYDRA软件也可以测AMD PBO CO,通常更激进。非X没必要用hydra测amd co,有频率上限,再激进也是电压更低,频率不会更高。
hydra hybrid co和amd co截止1.1g版本hydra不是对应关系。
使用hydra测试前最好把windows设置成无密码或开机直接进系统,hydra软件测试中死机重启进系统后自动恢复继续测试。
hydra软件的hybrid ,非X处理器可以上更高的频率和电压,带X处理器则可以追求极限,或者特殊复杂重载效能,如AVX256之类的多线程重载效能。
# 防掉压
不开防掉压,体质好测出的稳定频率更高,体质差更低,开防掉压,体质好更低,体质差更高。
hydra作者推荐PBO不开防掉压,hybrid开,微星4华硕3华擎2(作者推荐),铭瑄0.7(不确定)。
铭瑄AMD主板我没用过,不清楚他BIOS界面是什么样,根据网上找到铭瑄英特尔主板的防掉压设定界面,0.7应该是需要的曲线。通常防掉压曲线中最高一档,负载越高电压更高;次一档,几乎平的,再低一档,微微掉压,再再低一档稍掉压,就是推荐使用的曲线。
# hybrid前期准备
BIOS设置AUTO就行,curve optimizer关闭,内存要稳定。
# hybrid配置
hybrid默认设置下,相对PBO多核负载更保守,电压较低,可以自行修改。
启动软件后,按diagnostic,取消AMD PBO2 CO,勾选hybrid CO,勾选assistant,hybrid oc co电压可以用默认,也可以自己酌情修改。如果电压想上1.4V,最好上360冷排。之后通过辅助工具,根据工况选要跑的项目和预设值。
跑完CO测试后,再次运行diagnostic,跑profile creation,PPT是期望CPU功耗,THM就是期望温度。能在hybrid OC页面见到各种工况下的推荐定压定频设置值,可以参考进行定压定频超频。hydra软件主要就是根据负载在调节配置,如果工况比较固定,定压定频可以避免软件的开销。
# 5800X3D
开offset-温度会变好看,但是效能会下降。
msi bios -advanced cpu configuration -Kombo Strike(disable,1,2,3)这个选项调整要注意散热器和体质,选3效能变差了,就选2,还是变差了就选1。单核效能提升较小,但是多核效能提升较大。
# Zen2-ctr
ryzen在跑多核心重度负载如渲染,编解码,计算等应用时,PBO自动电压偏高,全核频率偏低。一般考虑定压定频。而软件clock tuner for ryzen可以对体质进行测试,使电压尽可能低,频率尽可能高,获得比PBO更好的全核性能和更低的功耗发热。在CCX体质不同时,体质更好的ccx获得一个更高的频率。
ctr2加入了hybird oc功能,针对单多线程不同负载计算出两个配置并自动切换,一个用于全核重度负载,另一个用于单线程负载时尽可能拉高单核心频率。
参见由KENNY肯尼酷制作的使用教程 (opens new window),教程中bios设置的cppc在advanced/amd cbs/nbio/smu common options。
软件作者的教程没有开启防掉压,开启防掉压会导致测试结果得出的电压偏低,但相对有有更低的待机功耗。如果想开启防掉压,通常微星主板3级,华硕主板3级或者4级。参见网友分享的各主板LLC防掉压设置,同时给出了如何找到更合适的LLC防掉压档位的教程。 (opens new window)
# PBO与倍频定压超频
由wjm47196翻译的gamers nexus的 PBO与AUTO OC相关 (opens new window)
PBO能获取更高的单核心频率,但是全核心频率比倍频定压低,且电压给的更高,发热功耗更大。
倍频定压超频能获取一个更高的全核心频率和相对更低的电压。
# 内存超频
INTEL B860的部分主板提供外置时钟,可以超SOC-die的外频,降低内存延迟。
比如微星MORTAR,TOMAHAWK。
# INTEL LGA1700
14代配B板非K处理器也可以调SA电压,但是要B0,既i9,i7阉割的。
DDR5,4内存插槽7200~7600是下限。2内存插槽,7600是下限。
# AMD AM4
ryzen内存超频一定要保证flck频率:内存频率是1:2,这样才能获得最佳的性能。
通常3000系fclk在1800,5000系在2100左右,这是一个大部分U都能超到的频率,对应的内存频率甜蜜点是ddr4-3600和ddr4-4200。
尽管原则上是尽可能放宽时序尽可能让频率跑到甜蜜点,但如果内存体质有限,频率确实上不去的话,适当的降低频率压时序也能提升性能。
- 分频的意义在于降低对imc体质的要求,压力完全来到内存体质,以至于可以降低性能来拉高频率。
memtest最新的版本能显示测试速率,通过对比该速率可以确定soc电压是否偏低。
# 入门调参顺序
通常参考网友推荐,或微星主板memory try it定一个比较保守的值就差不多,超与不超是60分到90分,找频率极限可能是从90分到95分,压小参可能是95分到99分,却要花费大量时间测试是否稳定。
以下调参顺序仅供参考。
- amd平台最好先确认颗粒体质,好条子先找稳定的fclk频率。
- 温度在超频当中是不可忽视的影响因素,冬天稳定的频率小参到了夏天可能就不稳定了。
先确定内存耐压,调用XMP,但是电压尽可能拉高,1.5V起往上拉,跑memtest出错为止,要是1.5v就出错就往下拉,拉到不出错为止。找到内存的极限电压。
主板厂商一般会附赠软件,可以在windows下调内存电压。
频率拉到期望频率,时序放很宽,开启geardown mode。跑memtest看能不能过,不行的基本是颗粒或内存控制器不行,没必要挣扎直接降频率。
amd 锐龙平台还要确定fclk频率能不能稳住。5000系先设置SOC电压1.25V,VDDP1.2V,VDDG CCD1.1V,VDDG IOD 1.1。在windows里用aida64测内存效能,用主板附赠的软件一点一点往下调电压,调到内存效能变低了,就说明不能再低了。用testmem5测试fclk频率能不能稳住,放视频看会不会破音。这几个电压尽量找一个即稳定也更低的点,拉太高反而不稳定。
接着开始压小参,先拉tCL,别的先别动,tCL提升最大。找到tCL极限之后,再压别的小参。要注意压小参的时候还要参考aida64测试内存效能有没有提升,有时候压的太狠反而效能下降。
Ryzen DRAM Calculator可以帮助计算小参,一般算出来的都偏紧,要松一松。
# ddr5
ddr5双面的两面都会有供电。为了走线更近。
ddr4 双面内存,一面是颗粒1~8,反面就是8~1。ddr5有一个mirror pin,swap pin,两面都是1~8。
ddr5 双面有一定改善。
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